Ученые усовершенствовали поглощающий электромагнитное излучение материал
Фото: econet.ru
12 марта 2021 г.
Ученые модифицировали гексаферрит бария, повысив его способность поглощать электромагнитное излучение, пишет пресс-служба проекта "5-100".
"Гексаферрит бария способен изменять свойства при замене атомов железа атомами других элементов. Чтобы задать материалу широкий диапазон частот поглощения электромагнитного излучения, ученые легировали (добавили в состав) материал титаном и воздействовали на него термически. В результате были зафиксированы изменения в структуре и магнитном состоянии мультиферроика", – говорится в сообщении.
Гексаферрит бария (BaFe12О19) используют в производстве постоянных магнитов благодаря сочетанию высокой коэрцитивной силы (напряженность внешнего магнитного поля), удельного электросопротивления и низкой стоимости. Модифицированные гексаферриты бария также можно использовать, например, в качестве подложек приборов СВЧ-электроники.
В ходе нового исследования ученые из России, Белоруссии, Бразилии, Индии и Китая провели ряд экспериментов: смешивали оксидные порошки, прессовали, обжигали и спекали их, исследовали с помощью электронного микроскопа с функцией микроанализа поверхность и химический состав полученных образцов. Исследователи считают, что в дальнейшем свойства полученного материала можно подстраивать к требованиям изготовителей электронных устройств.
По словам одного из авторов исследования, сотрудника Южно-Уральского государственного университета Дениса Винника, инновационный потенциал результатов проекта связан, прежде всего, с тем, что благодаря сочетанию высоких магнитных свойств и низкой электропроводности ферриты нашли применение в технике высоких частот (более 100 кГц).
"Они используются в качестве магнитных материалов в радиотехнике, электронике, автоматике, вычислительной технике. Получение гексаферритных кристаллических структур с глубокой степенью замещения атомов железа другими атомами расширит список материалов, которые могут применяться таким образом", – сказал Винник.
